555-575W monocrystalline solar panel

Ang muling pagsasaalang -alang ng mga electron at butas sa ibabaw at anumang interface ay ang pangunahing kadahilanan na naglilimita sa kahusayan ng cell, at
Ang iba't ibang mga teknolohiya ng passivation ay binuo upang mabawasan ang recombination, mula sa maagang yugto ng BSF (patlang sa likod ng ibabaw) hanggang sa kasalukuyang tanyag na PERC (passivated emitter at hulihan ng cell), pinakabagong HJT (heterojunction) at ngayon ay mga teknolohiya ng Topcon. Ang TopCon ay isang advanced na teknolohiya ng passivation, na katugma sa parehong p-type at n-type na silikon na wafers at maaaring mapahusay ang kahusayan ng cell sa pamamagitan ng paglaki ng isang ultra-manipis na oxide layer at isang doped polysilicon layer sa likod ng cell upang lumikha ng isang mahusay na interface ng interface. Kapag sinamahan ng N-type na mga wafer ng silikon, ang pinakamataas na limitasyon ng kahusayan ng mga topcon cells ay tinatayang 28.7%, na naglalabas ng PERC, na magiging tungkol sa 24.5%. Ang pagproseso ng Topcon ay mas katugma sa umiiral na mga linya ng produksiyon ng PERC, sa gayon ang pagbabalanse ng mas mahusay na gastos sa pagmamanupaktura at mas mataas na kahusayan sa module. Inaasahan na ang TopCon ay maging pangunahing teknolohiya ng cell sa mga darating na taon.